特許
J-GLOBAL ID：200903029903423270
シヨツトキーバリア半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-098677
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114723
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：
【要約】【目的】 ショットキー電極内にオーミック接触領域を設けることにより、ショットキーバリア半導体装置の順方向電流電圧特性を大幅に改善する。【構成】 半導体基板2の上面にショットキー接触金属膜5を設け、ショットキー接触金属膜5内に小さなオーミック接触金属膜4を部分的に埋め込み、ショットキー電極6を構成する。また、半導体基板2の下面にオーミック接触金属膜3を設ける。ショットキー電極6とオーミック電極3間に逆方向電圧を印加した時は、ショットキ-電極6の下面全体が空乏層7によって覆われ、電流が遮断される。順方向電圧を印加した時は、オーミック接触金属膜4の下の空乏層7がショットキー接触金属膜5の下方へ引っ込み、オーミック接触金属膜4とオーミック電極3の間に順方向電流が流れる。
請求項（抜粋）：
オーミック接触領域及び当該オーミック接触領域と電気的に導通すべきショットキー接触領域からなるショットキー電極と、前記ショットキー電極と離隔されたオーミック電極とが、半導体基板の表面に設けられたショットキーバリア半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
