特許
J-GLOBAL ID：200903029906752100
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-211860
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025926
出願日： 2000年07月12日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】 液状不純物源を使用して拡散領域を形成すると、除去し難い化合物がシリコン半導体基板上に形成される。【解決手段】 半導体基板1上に導電型決定用不純物と溶媒と珪素化合物とを含有する不純物源溶液を塗布して液状不純物源層2を形成し、これを乾燥させ、この上に有機シリコンから成るガラス溶液層4を形成する。次に、Alの拡散温度よりも低い温度で加熱してガラス膜を形成し、しかる後、Alを半導体基板1に拡散する。その後、弗酸で半導体基板1の表面上に残った膜を除去し、オーミック接触する電極を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体基体の表面に導電型決定用不純物と溶媒と珪素又は珪素化合物を含有する不純物源溶液を塗布する工程と、前記不純物源溶液の塗布されたシリコン半導体基体に対して、前記導電型決定用不純物の拡散温度よりも高い温度の加熱処理を施すことによって前記半導体基体に前記不純物を拡散させ、不純物拡散領域を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/225
, H01L 21/228
, H01L 29/74
, H01L 21/329
H01L 21/225 R
, H01L 21/228
, H01L 29/74 Q
, H01L 29/91 A
