特許

J-GLOBAL ID：200903029906972356

電磁遮蔽膜

発明者： 津田 康孝 ,  田中 勝人
出願人/特許権者： セントラル硝子株式会社
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-372840
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207383
出願日： 2002年12月24日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】Ag膜を用いる電磁遮蔽膜は、Ag膜に異種金属をドーピングして耐湿性を向上させている。しかし、Ag膜に異種金属をドーピングすると、Ag膜の表面抵抗値の上昇、反射率の上昇等の不具合を生じ、PDP等の表示装置の前面に用いることが困難であった。【解決手段】基体上にAg膜と酸化物膜が交互に成膜されてなる電磁遮蔽膜において、Ag膜と酸化物膜の間に、Alを1〜10原子%含有したAl含有酸化亜鉛膜が成膜されてなることを特徴とする電磁遮蔽膜である。また、前記電磁遮蔽膜において、最上層が酸化物膜でなることを特徴とする電磁遮蔽膜である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基体上にAg膜と酸化物膜が交互に成膜されてなる電磁遮蔽膜において、Ag膜と酸化物膜の間に、Alを1〜10原子%含有したAl含有酸化亜鉛膜が成膜されてなることを特徴とする電磁遮蔽膜。

IPC (3件)：

H05K9/00 ,  B32B9/00 ,  G02B1/10

FI (3件)：

H05K9/00 V ,  B32B9/00 A ,  G02B1/10 Z

Fターム (34件)：

2K009CC03 ,  2K009CC14 ,  2K009EE03 ,  4F100AA17D ,  4F100AA25C ,  4F100AB10C ,  4F100AB24B ,  4F100AG00 ,  4F100AT00A ,  4F100BA04 ,  4F100BA08 ,  4F100BA11 ,  4F100GB41 ,  4F100JB07 ,  4F100JD08 ,  4F100JL00 ,  4F100JM02B ,  4F100JM02C ,  4F100JM02D ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA04 ,  4K029BA48 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BC00 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DC16 ,  5E321BB23 ,  5E321GG05 ,  5E321GH01