半導体装置におけるシリサイドプラグの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-229487
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061178
出願日： 1992年08月06日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】微細な接続孔を形成するために、開口部内に均一なシリサイドプラグを半導体装置の量産レベルで形成することを可能にする方法を提供する。【構成】半導体装置におけるシリサイドプラグの形成方法は、(イ)下層配線層24上に形成された層間絶縁層26に開口部28を形成する工程と、(ロ)開口部内にSi系材料30を堆積させる工程と、(ハ)開口部内に堆積したSi系材料と金属とが反応する温度にSi系材料を保持しながら、開口部内に堆積したSi系材料30上に金属32を堆積させ、Si系材料と金属とを反応させてシリサイドプラグ34を形成する工程、から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)下層配線層上に形成された層間絶縁層に開口部を形成する工程と、(ロ)開口部内にSi系材料を堆積させる工程と、(ハ)開口部内に堆積したSi系材料と金属とが反応する温度に該Si系材料を保持しながら、開口部内に堆積したSi系材料上に金属を堆積させつつSi系材料と金属とを反応させて開口部内にシリサイドプラグを形成する工程、から成ることを特徴とする半導体装置におけるシリサイドプラグの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭60-240124
特開昭63-198357
特開昭63-283161

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