特許
J-GLOBAL ID：200903029920887205
結晶積層基板、結晶層、素子およびそれらの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
杉浦 正知
, 森 幸一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2002007484
公開番号（公開出願番号）：WO2003-012178
出願日： 2002年07月24日
公開日（公表日）： 2003年02月13日
要約：
本発明は、結晶積層基板、結晶層、素子およびそれらの製造方法に関し、各種の半導体素子の製造への適用に好適なものである。本発明の結晶積層基板は、サファイア基板などの基礎基板(1)の表面にストライプ状または格子状に空隙(4)を形成し、その上にこの空隙(4)では積層が起きない条件で窒化ガリウム半導体層などの半導体層(2)を積層させることにより製造する。空隙(4)にエタノールなどの液体を侵入させ、その液体の熱膨張または相転移に基づく膨張圧力により、基礎基板(1)から半導体層(2)を分離する。この半導体層(2)を半導体基板として用いる。本発明の結晶積層基板を用いて、結晶層あるいは結晶素子層を製造することにより、極めて容易に半導体基板などの結晶基板あるいは半導体素子などの素子を製造することができる。
請求項（抜粋）：
基礎基板上に結晶層が形成された結晶積層基板であって、前記結晶層と前記基礎基板との間に、液体が侵入し、その液体の熱膨張または相転移に基づく膨張圧力により、前記結晶層と前記基礎基板とを分離するための空隙を有し、この空隙は深さが3μm以上で巾が3μm以上であることを特徴とする結晶積層基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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