特許

J-GLOBAL ID：200903029927721299

窒化物半導体発光装置、窒化物半導体装置及びその製造方法

発明者： 原 田 佳 幸 ,  小野村 正 明 ,  布 上 真 也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-302881
公開番号（公開出願番号）：特開2003-110197
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】 製造工程数、製造時間、基板の反り、結晶欠陥、等を低減して、特性と歩留まりが高く高性能な窒化物半導体発光装置、窒化物半導体装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板と、前記基板上に形成され、表面に複数の溝を有し、GaNからなる第1のバッファー層と、前記第1のバッファー層上に形成され、前記複数の溝を埋め込んで平坦な表面を有し、MgがドープされたGaNからなる第2のバッファー層と、を備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成され、表面に複数の溝を有し、GaNからなる第1のバッファー層と、前記第1のバッファー層上に形成され、前記複数の溝を埋め込んで平坦な表面を有し、MgがドープされたGaNからなる第2のバッファー層と、前記第2のバッファー層上に形成されn型の窒化物半導体からなるn型クラッド層と、前記n型クラッド層上に形成され窒化物半導体からなり電流注入により光を放射する活性層と、前記活性層上に形成されp型の窒化物半導体からなるp型クラッド層と、を備えることを特徴とする窒化物半導体発光装置。

IPC (7件)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 27/14 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 31/10

FI (5件)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10 A ,  H01L 29/80 H ,  H01L 27/14 Z

Fターム (58件)：

4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118CA05 ,  4M118CB01 ,  4M118EA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049MB11 ,  5F049NA08 ,  5F049NA18 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049PA18 ,  5F049QA18 ,  5F049QA20 ,  5F049SS01 ,  5F049SZ01 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01