特許

J-GLOBAL ID：200903029933818946

半導体レーザとその製法

発明者： 成井 啓修 ,  今西 大介
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-225992
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077590
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 しきい値電流の低減化と安定化をはかる。【構成】 (100)面のGaAs基板面に、<01-1>方向のストライプリッジ11を形成し、800°C以上の成長温度でメチル系MOCVDで、クラッド層13、活性層14、電流ブロック層のエピタキシャル成長を行って、ストライプリッジ11上に(111)A面で挟み込まれた半導体ストライプ部16を形成し、この半導体ストライプ部16に、活性層13の動作領域を画成する。

請求項（抜粋）：

(100)結晶面を主面とするGaAs基板に、<01-1>結晶方向に沿うストライプリッジが形成され、上記ストライプリッジを有する主面上に、少なくともクラッド層と、活性層と、電流ブロック層とが形成され、上記ストライプリッジ上に(111)A結晶面で挟み込まれて他部との間に断層が生じた断面3角形状の半導体ストライプ部が形成され、上記半導体ストライプ部上の活性層が他の活性層と分断され、上記電流ブロック層が、上記半導体ストライプ部以外のその両側において上記半導体ストライプ部の活性層の両側端面或いはこれより上記3角形状の半導体ストライプ部の頂部側に位置して形成されたことを特徴とする半導体レーザ。