特許
J-GLOBAL ID：200903029936996896
金属多層膜磁気記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-007176
公開番号（公開出願番号）：特開平6-215302
出願日： 1993年01月20日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 金属多層膜磁気記憶装置に関し、極めて簡単な手段で、情報の磁気記憶密度を向上させることを可能にする。【構成】 例えばCrからなる第一の金属膜2Aと例えばFeからなる第二の金属膜2Bとが積層され且つ外部磁場が0の状態で第二の金属膜2Bは第一の金属膜2Aを介して反強磁性結合状態に在る金属多層膜2と、金属多層膜2と積層して形成され且つ外部磁場が加えられた際に金属多層膜2に於ける磁気モーメントの状態を維持する例えばFeからなる強磁性体膜1と、金属多層膜2或いは強磁性体膜1の至近に配置され且つ外部磁場を加えて金属多層膜2の各層に於ける磁気モーメントの関係を反強磁性状態から強磁性状態に変化させる磁気ヘッド3とを備える。
請求項（抜粋）：
第一の金属膜と第二の金属膜とが積層され且つ外部磁場が0の状態で第二の金属膜は第一の金属膜を介して反強磁性結合状態に在る金属多層膜と、前記金属多層膜と積層形成され且つ外部磁場が加えられた際に前記金属多層膜に於ける磁気モーメントの状態を維持する強磁性体膜と、前記金属多層膜或いは前記強磁性体膜の至近に配置され且つ外部磁場を加えて前記金属多層膜の各層に於ける磁気モーメントの関係を反強磁性状態から強磁性状態に変化させる磁気ヘッドとを備えてなることを特徴とする金属多層膜磁気記憶装置。
IPC (4件)：
G11B 5/02
, G11B 5/09 301
, G11B 5/66
, H01F 10/12
