特許
J-GLOBAL ID：200903029937313458
圧電マイクロ角速度センサおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-147312
公開番号（公開出願番号）：特開平10-318758
出願日： 1997年05月21日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 高感度な圧電マイクロ角速度センサを提供する。【解決手段】 複数の梁2の基端側を支持部1の異なる位置に固定し、各梁2の先端側を共通に連接し、この連接部に重り3を形成する。梁2には下部電極4と圧電膜5と上部電極6を順に積層形成する。シリコンで構成された支持層12に酸化膜13とシリコンで構成された活性層14が順に積層され一体化したSOI基板15により支持部1と重り3を形成し、SOI基板15の活性層14により梁2を形成する。梁2を加工形成する場合、SOI基板15の支持層12側から活性層14に達するまで梁2の形成領域をエッチング除去する。酸化膜13をエッチングするエッチング材は活性層14をエッチングしないので、酸化膜13のエッチングは活性層14に達するとストップし、梁2を活性層14の厚みに精度良く形成できる。
請求項（抜粋）：
複数の梁の先端側が共通に連接され、各梁の基端側は異なる位置の支持部に固定され、上記各梁の先端側の連接部には重りが形成され、上記各梁には下部電極と圧電膜と上部電極が順に積層形成されており、上記支持部と重りは、シリコン層である支持層の上に酸化膜とシリコン層である活性層とが順に積層して一体化したSOI基板により構成され、上記梁は上記SOI基板の活性層により構成されていることを特徴とする圧電マイクロ角速度センサ。
IPC (4件)：
G01C 19/56
, G01P 9/04
, H01L 29/84
, H01L 41/08
G01C 19/56
, G01P 9/04
, H01L 29/84 Z
, H01L 41/08 Z
