特許
J-GLOBAL ID：200903029938898883
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-172366
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022452
出願日： 1996年07月02日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】 凹凸の段差の高さを精密に制御する必要がなく、良好なレーザートリミングが可能な薄膜抵抗を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 薄膜抵抗3を形成する領域の下に位置する半導体基板1の表面に半導体基板1の厚さ方向に対して斜めとなるテーパ部4aを有する段差部4を形成し絶縁膜2を形成して表面を平坦化し、薄膜抵抗3を形成した半導体装置に対し、レーザートリミングを行うことで、半導体基板1と絶縁膜2との界面からの反射光と入射光との干渉状態を変化させ、半導体基板1の厚さ方向に垂直な方向にもレーザーエネルギーの強め合う領域と弱め合う領域とを生じさせるようにしてトリミングを行う。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板の表面に形成され、該半導体基板の厚さ方向に対して斜めとなる斜め領域と、該斜め領域を含め前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上であって、前記斜め領域の上方に形成された薄膜抵抗とを有し、前記斜め領域は、前記薄膜抵抗にレーザーを照射した際に該薄膜抵抗を透過したレーザーが斜め領域にて反射して前記薄膜抵抗に到達するように設定されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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