特許

J-GLOBAL ID：200903029946311930

ポジ型電着フォトレジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

発明者： 今井 玄児 ,  岩沢 直純 ,  山岡 亜夫
出願人/特許権者： 関西ペイント株式会社
代理人 (1件)： 小田島 平吉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-125500
公開番号（公開出願番号）：特開平6-313135
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】 高解像度で、微細画像パターン形成能に優れたポジ型電着フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターンの製造方法を提供する。【構成】 A)重合体1kgあたり、カルボキシル基を0.5〜10当量、及びヒドロキシフェニル基を1.0当量以上含有する重合体を100重量部、B)一分子中に少なくとも2個以上のビニルエーテル基を含有する化合物を5〜150重量部、及びC)活性エネルギー線照射により酸を発生する化合物をA)とB)との合計量100重量部に対して0.1〜40重量部を必須成分として含む組成物を塩基性化合物で中和し、水中に溶解又は分散したことを特徴とするポジ型電着フォトレジスト組成物及びそれを用いたレジストパターンの製造方法。

請求項（抜粋）：

A)重合体1kgあたり、カルボキシル基を0.5〜10当量、及びヒドロキシフェニル基を、1.0当量以上含有する重合体を100重量部、B)一分子中に少なくとも2個以上のビニルエーテル基を含有する化合物を5〜150重量部、及びC)活性エネルギー線照射により酸を発生する化合物をA)とB)との合計量100重量部に対して0.1〜40重量部を必須成分として含む組成物を塩基性化合物で中和し、水中に溶解又は分散したことを特徴とするポジ型電着フォトレジスト組成物。

IPC (8件)：

C09D 5/44 PRL ,  C09D 5/44 PRG ,  C09D 5/44 PRN ,  C09D201/08 PDG ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 501 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/42