特許

J-GLOBAL ID：200903029946609025

半導体製造装置および半導体製造方法

発明者： 神野 健
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 竹中 岑生 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-207162
公開番号（公開出願番号）：特開2003-022992
出願日： 2001年07月09日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 加工前の膜厚分布に応じて化学機械研磨法による適切な加工を行えるようにする。【解決手段】 ウエハ2より小さいパッド1で、ウエハ2全面についてウエハ2とパッド1との相対的移動によるスキャン動作を行うことにより、化学機械研磨法による加工を行う半導体製造装置において、ウエハ2における加工前の膜厚分布から、ウエハ2各点での必要な研磨量を補正して算出し、算出された補正研磨量に応じてパッド1によるウエハ2の加工を行う加工制御部5および加工条件設定部6を設けた。

請求項（抜粋）：

ウエハより小さいパッドで、ウエハ全面について前記ウエハとパッドとの相対的移動によるスキャン動作を行うことにより、化学機械研磨法による加工を行う半導体製造装置において、ウエハにおける加工前の膜厚分布から、ウエハ各点での必要な研磨量を補正して算出し、算出された補正研磨量に応じて前記パッドによるウエハの加工を行う加工制御手段を設けたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04

FI (4件)：

H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 F ,  B24B 37/00 C ,  B24B 37/04 D

Fターム (5件)：

3C058AA09 ,  3C058AB01 ,  3C058BA07 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17