特許

J-GLOBAL ID：200903029947914506

シリコンオンインシュレータ構造の半導体装置の製造方法

発明者： 李 泰福
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-018099
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252403
出願日： 1994年02月15日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 チャンネル長さがチャンネル幅や埋立酸化層の厚さに独立的に形成された、シリコンオンインシュレータ構造の半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 完全SIMOXおよび部分的SIMNI(Seperation IMplanted NItrogen )ウェハを作り、埋立酸化層とこれに含まれた部分埋立てられた酸化窒化膜を形成して、選択エッチングにより素子を製作する。

請求項（抜粋）：

下部シリコン基板、埋立酸化層、埋立窒化層および上部シリコン層からなるウェハ上にパッド酸化膜を形成し、前記埋立酸化層の所定部位に酸化窒化膜領域を形成する段階と、前記上部シリコン層をパターニングして前記酸化窒化膜領域と交差されるように活性シリコン層を形成し、前記露出された酸化窒化膜領域に対し湿式エッチングして空洞部を形成する段階と、前記露出された活性シリコン層の表面にゲート絶縁層を形成する段階と、前記活性シリコン層を取囲んで前記空洞部が埋立てられるようにドーピングされたポリシリコンを形成し、前記ドーピングされたポリシリコンの所定部位のみをエッチング除去してゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極により離隔された前記活性シリコン層にソース、ドレイン領域を形成する段階とを備えることを特徴とする、シリコンオンインシュレータ構造の半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/00 301