特許
J-GLOBAL ID：200903029950004219
透明導電膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-339111
公開番号（公開出願番号）：特開平5-171437
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年07月09日
要約：
【要約】【目的】 耐熱性の低い基板、例えばカラーフィルター付き基板やプラスチック製基板上に、低抵抗で透明性の良いITOからなる透明導電膜を形成する。【構成】 InにSnをドープした金属ターゲット4、もしくはIn2 O3 にSnO2 をドープした焼結体ターゲット4をイオン源9から放出されたイオンビームでスパッタし、アシスト用のイオン源14から放出されるイオンビームで基板22を照射しながら基板22上にITO膜を形成する方法において、アシスト用イオン源14からのイオンビームが主として酸素イオンからなる第1段階と酸素イオンが主成分でない第2段階の少なくとも2つの工程を含むようにする。
請求項（抜粋）：
InにSnをドープした金属ターゲット、もしくはIn2 O3 にSnO2 をドープした焼結体ターゲットを用いて基板上にITOからなる透明導電膜を形成する方法において、成膜中の基板面にアシスト用のイオンガンを用いてイオンビームを照射しながらスパッタ用のイオンガンを用いてイオンビームスパッタによる膜形成を行う際に、アシスト用のイオンガンから出射されるイオンビームが主として酸素イオンからなる第一段階と酸素イオンが主成分でない第二段階の少なくともふたつの工程を含むことを特徴とする透明導電膜の形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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