特許

J-GLOBAL ID：200903029958374791

有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法

発明者： 崔 泰 榮 ,  金 保 成
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-091470
公開番号（公開出願番号）：特開2006-279053
出願日： 2006年03月29日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】工程において有機半導体に与える影響を最少に抑え、有機薄膜トランジスタの特性を改善できる有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供することである【解決手段】本発明は、基板、前記基板上に形成された複数のデータ線、前記データ線と交差して形成され、ゲート電極を含む複数のゲート線、前記ゲート線上に形成され、コンタクトホールを含むゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホールを介して前記データ線に接続されたソース電極、前記ゲート電極を中心に前記ソース電極と対向するドレイン電極を含む画素電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一部を露出させる開口部を含む保護膜、前記開口部に形成された有機半導体及び前記有機半導体を覆うオーバーコート層を備える有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成された複数のデータ線と、 前記データ線と交差して形成され、ゲート電極を含む複数のゲート線と、 前記ゲート線上に形成され、コンタクトホールを含むゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホールを介して前記データ線に接続されたソース電極と、 前記ゲート電極を中心に前記ソース電極と対向するドレイン電極を含む画素電極と、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一部を露出させる開口部を含む保護膜と、 前記開口部に形成された有機半導体と、 前記有機半導体上に形成されたオーバーコート層とを備える有機薄膜トランジスタ表示板。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30

FI (7件)：

H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619B ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/28 100A ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338

Fターム (54件)：

2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA46 ,  2H092JB57 ,  2H092KA09 ,  2H092KB24 ,  2H092MA37 ,  2H092NA21 ,  2H092NA29 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094DB01 ,  5C094FB01 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F110AA16 ,  5F110AA21 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33 ,  5F110NN04 ,  5F110NN27 ,  5F110NN42 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ06