特許
J-GLOBAL ID：200903029959020535
シリコンカーバイド膜の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
竹内 澄夫
, 堀 明▲ひこ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-297260
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134560
出願日： 2002年10月10日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】誘電率が4以下であり、大気中で放置しても膜応力が変化せず、リーク電流が小さく、かつ炭素含有シリコン酸化膜よりドライエッチ速度が非常に遅い、銅配線のエッチングストップ膜として使用され得るシリコンカーバイド膜を製造する方法を与える。【解決手段】プラズマCVD法により半導体基板上へシリコンカーバイド膜を製造するための方法は、珪素、炭素及び水素を含む所定の流量の原料ガス及び所定の流量の不活性ガスから成る材料ガスを反応室内に導入する工程と、少なくとも1種類の高周波電力を反応室内の反応領域に印加する工程と、少なくとも1種類の高周波電力を印加した状態で、材料ガス中の原料ガス及び不活性ガスの混合比を変化させる工程とから成る。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
プラズマCVD法により半導体基板上へシリコンカーバイド膜を製造するための方法であって、
珪素、炭素及び水素を含む所定の流量の原料ガス及び所定の流量の不活性ガスから成る材料ガスを反応室内に導入する工程と、
少なくとも1種類の高周波電力を前記反応室内の反応領域に印加する工程と、前記少なくとも1種類の高周波電力を印加した状態で、前記材料ガス中の前記原料ガス及び前記不活性ガスの混合比を変化させる工程と、
から成る方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/314 A
, H01L21/302 301Z
5F004AA02
, 5F004BD03
, 5F004DA00
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB08
, 5F004EA23
, 5F004EB02
, 5F058BA20
, 5F058BC20
, 5F058BF07
, 5F058BF23
, 5F058BF37
