特許

J-GLOBAL ID：200903029960845505

光電変換素子

発明者： 高田 和典 ,  岩本 和也 ,  近藤 繁雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-308704
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148595
出願日： 1995年11月28日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 p型化合物半導体と集電体との接合面を改善し、変換効率の高い光電変換素子を得ることを目的とする。【解決手段】 p型化合物半導体と集電体との間にシェブレル相化合物層を接合した構成であり、p型化合物半導体と集電体との接合面を改善することができる。

請求項（抜粋）：

少なくともp型化合物半導体と集電体層を有する構成の光電変換素子において、p型化合物半導体と集電体層の間にシェブレル相化合物が接合された構造であることを特徴とする光電変換素子。