特許

J-GLOBAL ID：200903029967037544

圧電アクチュエータ及び液体吐出ヘッド

発明者： 樋口 天光 ,  岩下 節也 ,  角 浩二 ,  村井 正己
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-321368
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209303
出願日： 2002年11月05日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 下部電極として(100)配向のルテニウム酸ストロンチウムを用いた場合に最適な層構成を備えた圧電アクチュエータを提供する。【解決手段】 Si基板20と、前記Si基板上に形成された、SiO2若しくはZrO2、又はSiO2とZrO2との積層構造からなる振動板30と、前記振動板上に形成された、(100)配向又は(110)配向のSrOからなるバッファ層32と、前記バッファ層上に形成された、ペロブスカイト構造を有する(100)配向のルテニウム酸ストロンチウムを備えた下部電極42と、前記下部電極上に形成された、(100)配向のPZTからなる圧電体層43と、前記圧電体層上に形成された上部電極44と、を備える。

請求項（抜粋）：

Si基板上に形成された、SiO2若しくはZrO2、又はSiO2とZrO2との積層構造からなる振動板と、前記振動板上に形成された、(100)配向又は(110)配向のSrOからなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成された、ペロブスカイト構造を有する(100)配向のルテニウム酸ストロンチウムを備えた下部電極と、前記下部電極上に形成された、(100)配向のPZTからなる圧電体層と、前記圧電体層上に形成された上部電極と、を備えた、圧電アクチュエータ。

IPC (6件)：

H01L 41/09 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/187

FI (6件)：

H01L 41/08 J ,  B41J 3/04 103 A ,  B41J 3/04 103 H ,  H01L 41/08 D ,  H01L 41/08 L ,  H01L 41/18 101 D

Fターム (9件)：

2C057AG44 ,  2C057AP02 ,  2C057AP23 ,  2C057AP52 ,  2C057AP53 ,  2C057AP56 ,  2C057AQ02 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 圧電体薄膜素子、その製造方法、及び圧電体薄膜素子を用いたインクジェット式記録ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-245353   出願人：セイコーエプソン株式会社
• インクジェットヘッドとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-311960   出願人：富士通株式会社
• 酸化物電極薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-304036   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 圧電体素子、インクジェット式記録ヘッド及びこれらの製造方法並びにインクジェットプリンタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-042764   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 圧電素子構造および液体噴射記録ヘッドとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-185795   出願人：キヤノン株式会社, 和佐清孝
• 圧電薄膜素子及びそれを用いたインクジェットヘッド並びに圧電薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-110957   出願人：松下電器産業株式会社