特許

J-GLOBAL ID：200903029969629783

薄膜の形成方法およびその装置

発明者： 見方 裕一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-107899
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318551
出願日： 1993年05月10日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】この発明は、製造コスト、装置コストを低減することができ、装置の保守を容易にする。【構成】ボ-ト32に複数のウェ-ハ31を載置し、反応炉22をヒ-タ21によって加熱し、ウェ-ハ31を昇温する。次に、ヒ-タ21と反応炉22との間に送風装置20により送風ノズル20a から空気を送り込み、ヒ-タ21を急冷し、ウェ-ハ31を17°C/分の速度で降温し、ウェ-ハ31の周辺部の温度を中央部のそれより30°C低くなる間のみに、PH3 、SiH4 を第1、第2のガスノズル27,28 から反応炉22内に供給する。次に、ウェ-ハ31の周辺部と中央部との温度差を30°Cではなくなると、SiH4 、PH3 の反応炉22内への供給を停止し、ウェ-ハ31の表面上に図示せぬ多結晶シリコン膜を形成する。従って、製造コスト、装置コストを低減することができ、装置の保守を容易にすることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に薄膜をCVD法により形成する方法であって、前記半導体基板上に形成される薄膜の厚さを均一にするため、前記薄膜を形成する際に前記半導体基板上に温度差を設けることを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-262331
  
• 特開平4-065820
  
• 特開平2-005519