特許
J-GLOBAL ID：200903029975012275
ゲート絶縁膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-179994
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074763
出願日： 1991年07月19日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 段差部分の被覆性に優れ、低温処理可能なゲ-ト絶縁膜形成方法を提供する。【構成】 反応ガスとして有機シラン材料を用い、プラズマCVD法によりゲート絶縁膜を成膜する。
請求項（抜粋）：
反応ガスとして有機シラン材料を用い、プラズマCVD法により成膜することを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, C23C 16/50
, H01L 29/784
