特許
J-GLOBAL ID：200903029975732782
バンプ電極構造の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-100101
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307345
出願日： 1994年05月13日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 水素雰囲気でのアニールにより回路素子のダメージ回復を図り、かつ水素によるチタン膜の脆化を防止して、バンプ電極強度を向上させる。【構成】 トランジスタ等の回路素子が形成されるシリコン基板1上に、酸化膜2、アルミ電極3、SiN膜4、バリヤメタルとしてのチタン膜5、銅膜6、および銅バンプ7がそれぞれ形成される。ここで、シリコン基板1上に形成された回路素子に対して酸素を含む水素雰囲気中でアニールに行う。このことにより水素雰囲気でのアニールにより回路素子のダメージ回復を図ることができ、また酸素により銅バンプ7の表面に酸化銅9が形成され、銅バンプ9を通過してチタン膜5との間に水素化合物が形成されるのを阻止し、チタン膜5の脆化を防ぐ。
請求項（抜粋）：
回路素子が形成される回路基板上に、被接続電極を形成する工程と、前記被接続電極上にチタン膜からなるバリヤメタルを形成する工程と、このバリヤメタル上にバンプ電極を形成する工程と、前記回路基板上に形成された前記回路素子を水素雰囲気中でアニールする工程とを備えたバンプ電極構造の製造方法であって、前記アニール工程は、前記バンプ電極表面に水素拡散の防止膜を形成させるガスを含んで前記アニールを行うことを特徴とするバンプ電極構造の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
