特許

J-GLOBAL ID：200903029979447080

半導体集積回路

発明者： 相場 満 ,  新谷 浩之 ,  工藤 正明 ,  田中 一雄 ,  澤瀬 照美 ,  中村 義紀 ,  大高 彰
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-123665
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313061
出願日： 1997年05月14日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 FPGAのような半導体集積回路に救済不可能な欠陥が発生しても当該半導体集積回路を利用可能にする。【解決手段】 記憶回路に設定されるデータに応じて論理機能が可変とされる可変論理ブロック(1,24,7)に救済不可能な不良があっても、その不良の所在を示す位置情報、或いは使用禁止位置情報を半導体集積回路の製造段階(デバイステスト段階など)で当該半導体集積回路に内蔵された不揮発性記憶手段(6)格納しておくことにより、半導体集積回路の使用者が前記不揮発性記憶手段に格納されている不良の所在を示す位置情報又は使用禁止位置情報を外部端子(Pd)を介して読み出せば、使用者は当該不良を避けてその半導体集積回路を用いることができる。

請求項（抜粋）：

記憶回路に設定されるデータに応じて論理機能が可変とされる複数個の可変論理ブロックと、外部から供給される信号を用いて前記可変論理ブロックの記憶回路に所望のデータを設定する論理機能設定手段と、論理機能が設定された前記複数個の可変論理ブロックによる論理動作のための信号伝達用の複数の信号線と、救済不可能な可変論理ブロックの位置情報を記憶する不揮発性記憶手段と、前記不揮発性記憶手段に格納された位置情報を出力する外部端子と、を含んで成るものであることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/82 A ,  H01L 27/04 M