特許
J-GLOBAL ID：200903029979658633
電気的にプログラム可能なメモリセル装置及びその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-010089
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199620
出願日： 1997年01月06日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 高いメモリ密度が得られしかも僅かな製造工程と高い歩止まりで製造可能である半導体をベースとした電気的にプログラム可能なメモリセル装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 電気的にプログラム可能なメモリセル装置は、トラップを持つ材料から成るゲート誘電体7を有する縦形MOSトランジスタを含むメモリセルを有する。特にメモリセルは平行に延びる条帯状絶縁溝12の対向位置する側面に沿って配置される。絶縁溝12の幅及び間隔は特に等しく、それによりメモリセル当たり2F2 の必要スペースを持つメモリセル装置が実現される。ゲート誘電体17内へ電子を注入することによって、メモリセルは1回プログラム可能である。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1)の主面(3)にメモリセル(19)を備えたセル領域が設けられ、このメモリセル(19)は、トラップを持つ材料から成るゲート誘電体(17)を備え主面(3)に垂直に設けられた少なくとも1つのMOSトランジスタを含むことを特徴とする電気的にプログラム可能なメモリセル装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
