特許

J-GLOBAL ID：200903029980650409

プラズマ処理装置およびインピーダンス測定具

発明者： 仲野 陽 ,  福田 航一 ,  金 聖哲 ,  笠間 泰彦 ,  大見 忠弘 ,  小野 昭一
出願人/特許権者： 株式会社フロンテック ,  アルプス電気株式会社 ,  大見 忠弘
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-340806
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251094
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 サセプタインピーダンスが小さくかつ周波数依存性が少なく、また、電力消費効率が高く、成膜速度が従来より速くかつ、より良質の膜の形成が可能なプラズマ装置を提供すること。【解決手段】 チャンバ壁10と、チャンバと直流的に同電位である電極のシールド12との間を金属プレート80a,80bにより交流的に短絡していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

チャンバ壁と、チャンバと直流的に同電位である電極との間を交流的に短絡していることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H05H 1/46 M ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平4-247878
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-145785   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• 電子デバイス製造装置及び電子デバイス製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-305359   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (4件)

• 特開平4-247878
  
• 特開平4-247878
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-145785   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• 電子デバイス製造装置及び電子デバイス製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-305359   出願人：シャープ株式会社