特許

J-GLOBAL ID：200903029981286450

真空成膜方法および真空成膜装置

発明者： 宮澤 和利 ,  中上 裕一 ,  金谷 国道
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-226240
公開番号（公開出願番号）：特開2002-038265
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2002年02月06日
要約：

【要約】【課題】 真空排気を行うロードロック室において短時間で均一に被処理基板の加熱処理が実現できる真空成膜方法を提供する。【解決手段】 ロードロック室1に搬入された被処理基板4の裏面の中央部を支持台6によって支持し、支持台6とは反対側に設けられた第1の加熱手段2a,第2の加熱手段2bによって、被処理基板4の周辺部と中央部との加熱状態を変更して被処理基板4を均一に加熱する。

請求項（抜粋）：

ロードロック室を介して搬入された被処理基板を、搬送アームによって処理室へ搬送して真空成膜するに際し、前記ロードロック室に搬入された被処理基板を支持手段で支持し、この状態で被処理基板が支持手段に接している部分と接していない部分との加熱状態を変更して被処理基板を均一に加熱し、前記ロードロック室での加熱処理によって水分除去した被処理基板を処理室へ搬送して真空成膜する真空成膜方法。

IPC (3件)：

C23C 14/56 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/54

FI (4件)：

C23C 14/56 D ,  C23C 14/56 G ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/54

Fターム (16件)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BD00 ,  4K029DA01 ,  4K029DA08 ,  4K029EA08 ,  4K029FA06 ,  4K029KA01 ,  4K029KA09 ,  4K030CA06 ,  4K030DA02 ,  4K030GA12 ,  4K030KA08 ,  4K030KA24 ,  4K030KA49 ,  4K030LA18