特許

J-GLOBAL ID：200903029982437052

半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： 鬼頭 雅弘 ,  大塚 信之 ,  石野 正人 ,  松井 康 ,  稲葉 雄一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-330066
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220220
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】 (1)低しきい値電流及び高スロープ効率特性を有し、且つ出射角が狭い半導体レーザ装置、(2)その製造方法、及び(3)上記のような半導体レーザ装置を光源として含む光通信システムを提供する。【解決手段】 半導体レーザ装置が、基板と、該基板上に形成された多層構造と、を備えた半導体レーザ装置であって、該多層構造は、少なくとも活性層を有する光導波領域と、該光導波領域の周囲を埋め込む埋め込み層と、を含み、該光導波領域は共振器長方向に対してストライプ状に形成されており、該光導波領域のストライプ幅は、前端面における幅W1と後端面における幅W2とがW1<W2なる関係を満たし、該ストライプ幅は、該共振器長方向に対して該幅W1と該W2との間で連続的に変化して、広がり角が非常に狭いレーザ光を発生させる、半導体レーザ装置であって、該光導波領域の該ストライプ幅は該共振器長方向に直線的に変化し、且つその変化の傾きが該共振器長方向に対して約0.14度以下である。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に形成された多層構造と、を備えた半導体レーザ装置であって、該多層構造は、少なくとも活性層を有する光導波領域と、該光導波領域の周囲を埋め込む埋め込み層と、を含み、該光導波領域は共振器長方向に対してストライプ状に形成されており、該光導波領域のストライプ幅は、前端面における幅W1と後端面における幅W2とがW1<W2なる関係を満たし、該ストライプ幅は、該共振器長方向に対して該幅W1と該W2との間で連続的に変化して、広がり角が非常に狭いレーザ光を発生させる、半導体レーザ装置であって、該光導波領域の該ストライプ幅は該共振器長方向に直線的に変化し、且つその変化の傾きが該共振器長方向に対して約0.14度以下である、半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-196895
  
• 光導波路デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平2-406230   出願人：日本電信電話株式会社
• 変調器付半導体レーザ装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-319364   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭63-178578