特許
J-GLOBAL ID：200903029983434910
半導体ウェーハ非破壊検査装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-281674
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092320
出願日： 2001年09月17日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体ウェーハの裏面を汚染することなく諸特性を測定できるようにする。【解決手段】 半導体ウェーハ非破壊検査装置を、半導体ウェーハ10を載置してその特性を電気的、物理的または光学的に測定する測定ステージと、該半導体ウェーハの裏面を吸着又は支持して検査前処理を行なう前処理ステージ20とで構成する。前記測定ステージは、導体または抵抗率1Ωcm以下の半導体で構成される本体部と、本体部上に形成された金属汚染防止膜とを備える。前処理ステージ20は、導体または抵抗率1Ωcm以下の半導体で構成される本体部金属20bと、該金属上に形成された金属汚染防止膜20aとを備える。該金属汚染防止膜20aで前記半導体ウェーハ10の裏面と接触することにより、前記半導体ウェーハ10の金属汚染を防止する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハを載置して前記半導体ウェーハの特性を電気的、物理的または光学的に測定する測定ステージと、前記半導体ウェーハの裏面を吸着又は支持して検査前処理を行なう前処理ステージと、前記半導体ウェーハの裏面を吸着又は支持して前記前処理ステージから前記測定ステージへ運搬する搬送部とを有する半導体ウェーハ非破壊検査装置であって、(A)前記測定ステージは、導体または抵抗率1Ωcm以下の半導体で構成される本体部と、必要に応じて該本体部上に形成された金属汚染防止膜とを備え、前記半導体ウェーハの金属汚染を防止し、(B)前記前処理ステージは、導体または抵抗率1Ωcm以下の半導体で構成される本体部と、該本体部上に形成された金属汚染防止膜とを備え、該金属汚染防止膜で前記半導体ウェーハの裏面と接触することにより、前記半導体ウェーハの金属汚染を防止し、(C)前記搬送部は、導体または抵抗率1Ωcm以下の半導体で構成される基本部と、該基本部上に形成された金属汚染防止膜とを備え、該金属汚染防止膜で前記半導体ウェーハの裏面と接触することにより、前記半導体ウェーハの金属汚染を防止することを特徴とする、半導体ウェーハ非破壊検査装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/66 Z
, H01L 21/66 M
, G01N 21/956 A
2G051AA51
, 2G051AB02
, 2G051CB01
, 2G051DA00
, 4M106AA01
, 4M106CB11
, 4M106DJ02
, 4M106DJ32
, 4M106DJ40
