特許
J-GLOBAL ID:200903029984503095
導電性高分子材料の表面処理方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
吉田 俊夫 (外1名)
, 吉田 俊夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-286061
公開番号(公開出願番号):特開2000-095885
出願日: 1998年09月22日
公開日(公表日): 2000年04月04日
要約:
【要約】【課題】 微細構造密度が高くしかもその先端部直径が小さい微細構造を形成し得る導電性高分子材料の表面処理方法を提供する。【解決手段】 導電性微粒子を含有する高分子材料にパルス幅500ps以下のレーザー光を照射し、高分子材料表面に電子放出特性にすぐれた導電性微細構造を形成させる。
請求項(抜粋):
導電性微粒子を含有する高分子材料にパルス幅500ps以下のレーザー光を照射し、高分子材料表面に電子放出特性にすぐれた導電性微細構造を形成させることを特徴とする導電性高分子材料の表面処理方法。
Fターム (7件):
4F073AA04
, 4F073BA04
, 4F073BA49
, 4F073BB01
, 4F073CA42
, 4F073CA69
, 4F073HA11
引用特許: