特許

J-GLOBAL ID：200903029985016490

巨大磁気抵抗効果を有する酸化物薄膜の製造方法

発明者： 寺本 洋二 ,  関口 芳信 ,  藤原 良治 ,  和田 隆亜
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-116779
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028317
出願日： 2000年04月18日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果を示す酸化物を従来法で作製した場合、膜組成、成膜の再現性、結晶性、配向性に問題があった。本発明では、上述の問題点を解決する。【解決手段】 本発明では、磁気抵抗効果を有する酸化物薄膜の製造方法で、酸化物薄膜を構成する金属原子が溶媒中で金属-酸素結合を有している前駆体溶液を基板上に塗布し、引き続き260°C以上350°C以下の温度で乾燥する第一の工程と、結晶化が始まる温度より高い温度で焼成する第二の工程を有することを特徴とする酸化物薄膜の製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果を有する酸化物薄膜の製造方法で、酸化物薄膜を構成する金属原子が溶媒中で金属-酸素結合を有している前駆体溶液を基板上に塗布し、引き続き260°C以上350°C以下の温度で乾燥する第一の工程と、結晶化が始まる温度より高い温度で焼成する第二の工程を有することを特徴とする酸化物薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01F 41/28 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/22 ,  H01L 43/12

FI (4件)：

H01F 41/28 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/22 ,  H01L 43/12