特許

J-GLOBAL ID：200903029989304678

液面レベルセンサ

発明者： 田村 真一
出願人/特許権者： 矢崎総業株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-081996
公開番号（公開出願番号）：特開平11-281465
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 フロートアーム回転角度の検出範囲を広くすることができる液面レベルセンサを提供する。【解決手段】 フロートアーム3は、フロート2の上下動によって回転軸4を中心に回動し、永久磁石11は、フロートアーム3の回動に伴って回動し、磁気抵抗素子12の面内にはバイアス磁石14により一定のバイアス磁界が印加され、磁気抵抗素子12に印加される磁界は、永久磁石の信号磁界とバイアス磁界とが合成された合成磁界となり、合成磁界は、永久磁石の回動に伴って回転する。合成磁界の角度変化は、バイアス磁石がない場合と比較して、信号磁界の回転に対する変化が小さいため、センサ出力がリニアで検出可能なフロートアームの検出角度範囲は、バイアス磁石がない場合よりも大きくなる。

請求項（抜粋）：

液面に浮かぶフロートに取り付けられ、フロートの上下動によって回転軸を中心に回動するフロートアームと、前記回転軸に取り付けられ、前記フロートアームの回動に伴って回動する永久磁石と、この永久磁石の回動による永久磁石の信号磁界の向きの変化により抵抗値が変化して前記フロートアームの回転角度を検出する磁気抵抗手段と、この磁気抵抗手段の面内に一定のバイアス磁界を印加するバイアス磁石と、を備えることを特徴とする液面レベルセンサ。