特許
J-GLOBAL ID：200903029994260140
半導体ウエーハの温度測定方法及び温度測定手段を備える半導体ウエーハ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-117779
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310580
出願日： 1993年04月20日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 薄膜形成、微細加工を繰り返して、熱電対を半導体ウエーハ上に作り込むことより、半導体製造装置内におけるウエーハの温度測定の応答性及び信頼性を高める方法を提供することにある。【構成】 ウエーハ上にて金属薄膜の形成、微細加工を繰り返し複数個の熱電対5を形成し、データ取り出し用のパッド7をウエーハの端部に設ける。そしてそのパッドよりデータを外部に取り出すことを可能にしている。ウエーハと熱電対を一体化することにより、半導体製造装置内におけるウエーハの温度測定の応答性及び信頼性を高めることが可能となった。【効果】 半導体製造装置内で処理中のウエーハの、面内温度マップの作製や、温度変化のモニタリングの信頼性向上が可能になる。
請求項（抜粋）：
半導体製造装置内で処理中の半導体ウエーハの温度を測定する方法において、半導体ウエーハ上に形成された第1の金属層と、前記第1の金属層と接し前記第1の金属層の金属とは異なる第2の金属よりなる第2の金属層と、前記第1の金属層及び第2の金属層からの信号取り出しパッドからなる熱電対を用い、前記信号取り出しパッドからの電流によって温度測定を行うことを特徴とする半導体ウエーハの温度測定方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01K 1/14
, G01K 7/02
