半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-309458
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150004
出願日： 1996年11月20日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】裏面電極として、良好な密着強度を有するオーミック接合と低濃度のP層が容易に形成できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】IGBTの断面図において、N型のシリコン基板1 の表面に、高濃度のP型が導入されたP+ 型のウェル領域、ゲート絶縁膜上のゲート電極2 、P型ベース領域3 、N+ 型エミッタ領域4 、絶縁膜5 、エミッタ電極6 が形成されている。この表面と反対側の裏面のコレクタ電極7 は、ボロンをドーミングしたアルミニウムまたはアルミニウム合金を電極材料として用いている。コレクタ電極7 に隣接して低濃度のP型層(P- 層)8 が形成されており、この電極はレーザ・メルトアニール法により、アルミニウムとボロンの拡散効率の違いを利用し、良好な低抵抗オーミックコンタクトを形成している。

請求項（抜粋）：

半導体チップの表面の反対側の裏面において、オーミック接合として、ボロンをドーピングしたアルミニウムまたはアルミニウム合金を用いた電極材料を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/24

FI (2件)：

H01L 21/28 301 L , H01L 21/24

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