特許

J-GLOBAL ID：200903030000975020

シリコン酸化膜のドライエツチング方法

発明者： 西尾 幹夫 ,  久保田 正文
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305187
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144779
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 反応生成物の堆積膜がチャンバー内壁などに堆積し、異物発生の原因になっているという欠点を排除するシリコン酸化膜のドライエッチング方法を提供する。【構成】 少なくとも、通常シリコン酸化膜のドライエッチングで用いられるC,F系ガスまたはC,F,H系ガスと、F以外のハロゲンを含むガスの混合ガスを用いて、プラズマを生成してシリコン酸化膜を所望量までエッチングする工程と、前記C,F系ガスまたはC,F,H系ガスのみを用いて残りのシリコン酸化膜をエッチングする工程よりなり、デポ膜の膜質を改善することで、エッチング中に発生する異物を低減する。【効果】 シリコン酸化膜のドライエッチングにおいて、エッチング時に基板に付着する異物を低減できるため、本方法を用いてシリコン酸化膜をエッチングすることで、製造する半導体装置の歩留り向上が可能となる。

請求項（抜粋）：

少なくとも、通常シリコン酸化膜のドライエッチングで用いられるC,F系ガスまたはC,F,H系ガスと、F以外のハロゲンを含むガスの混合ガスを用いて、プラズマを生成してシリコン酸化膜を所望量までエッチングする工程と、前記C,F系ガスまたはC,F,H系ガスを用いて残りのシリコン酸化膜をエッチングする工程を備えてなるシリコン酸化膜のドライエッチング方法。