半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-231280
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086527
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】従来の半導体記憶装置に僅かの変更を加えるだけで、記憶容量を大きくできる不揮発性の半導体記憶装置を提供すること。【構成】1トランジスタ/1キャパシタ型のメモリセルにおいて、キャパシタ誘電体膜として、チタン酸バリウム膜9とPZT膜10との積層膜を用いたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

電荷を蓄積するキャパシタと、このキャパシタに接続されたスイッチング素子としてのトランジスタとを具備してなり、前記キャパシタのキャパシタ誘電体膜は、抗電界値が異なる複数の自発分極を有する誘電体材料からなることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/04 C , H01L 27/10 325 J , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (2件)

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