特許

J-GLOBAL ID：200903030006195182

半導体装置とその製造方法

発明者： 中村 安治 ,  中村 晄尚
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 松田 宗久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-150260
公開番号（公開出願番号）：特開平9-312355
出願日： 1996年05月21日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：

【要約】【課題】 BGAタイプの半導体装置に代わる製造の容易な半導体装置を得る。【解決手段】 複数本のリード10と、半導体チップ60が搭載されたステージ20とを、所定間隔ずつあけて並べて配列する。リード10下面の所定部位には、端子部12を突出形成する。半導体チップ60の電極とリード上面の端子部14とは、ワイヤ70で電気的に接続する。複数本のリード10の上面及び側面とステージ20の上面及び側面とには、絶縁材30を連続して層状に被着する。そして、その絶縁材30を介して、複数本のリード10とステージ20とを一連に結合する。それと共に、絶縁材30内部に半導体チップ60を封入し、リード下面の端子部12を絶縁材30の間に露出させる。

請求項（抜粋）：

複数本のリードと半導体チップが搭載されたステージとが所定間隔ずつあけて並べて配列され、前記リード下面の所定部位に端子部が突出形成され、前記半導体チップの電極と前記リード上面の端子部とが電気的に接続され、前記複数本のリードの上面及び側面とステージの上面及び側面とに絶縁材が連続して被着されて、該絶縁材を介して前記複数本のリードとステージとが一連に結合されると共に、前記絶縁材内部に前記半導体チップが封入され、前記リード下面の端子部が前記絶縁材の間に露出されてなることを特徴とする半導体装置。