特許
J-GLOBAL ID：200903030010385999
プローブ構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-140399
公開番号（公開出願番号）：特開平6-347481
出願日： 1993年06月11日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【構成】 絶縁性基材1と誘電体層5との間にはリード2が介在し、絶縁性基材1の他方表面1bにはバンプ3が形成されている。リード2とバンプ3とを接続する導通路4が、絶縁性基材1の厚み方向に形成されている。誘電体層5には、厚み方向に貫通する貫通孔6が穿設されている。貫通孔6の直径は導通路4の直径よりも大きく、貫通孔6の領域Nは導通路4が形成されている領域nを含んでいる。また、貫通孔6の中心点は、導通路4の中心点と一致するか、あるいはほぼ一致している。【効果】 加圧ヘッド20を下降させ、バンプ3と半導体素子10の電極11とを当接させた際に、バンプ3は絶縁性基材1とともに貫通孔6内に入り込み、導通検査時にクッション効果を奏する。バンプ3と半導体素子10の電極11との間の距離のばらつきが補正され、バンプ3と電極11との接触が確実となる。
請求項（抜粋）：
被検査体の導通検査を行うための試験機器に接続される回路配線が、絶縁性基材と誘電体層との間に重層され、該絶縁性基材の該回路配線が形成された面と反対側の面に、該被検査体の端子に接触する接点部が形成され、該回路配線と該接点部とを接続する導通路が、該絶縁性基材の厚み方向に形成され、該誘電体層の面方向において該導通路の幅よりも大きく、該導通路の領域を含む凹部が該誘電体層の面に形成されていることを特徴とするプローブ構造。
IPC (2件)：
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