特許

J-GLOBAL ID：200903030021521070

化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法

発明者： 佐々木 幸男 ,  長尾 彰一
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-191495
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045896
出願日： 1995年07月27日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】有機金属気相エピタキシャル成長法で成長したエピタキシャルウェハに特有のバッファ層・基板界面に存在するn型不純物を電気的に不活性にして、ピンチオフ近傍でのリーク電流を大幅に低減させ、高出力化が可能なGaAsパワーFETを得る。【解決手段】有機金属気相エピタキシャル成長法によってGaAs基板の上にバッファ層とn型GaAs活性層を順次成長させる工程を有し、バッファ層を成長させる前に、p型不純物である炭素CをGaAs基板の上に2次元的に添加する。これによりGaAs基板に存在しているn型不純物であるSiを電気的に補償して、バッファ層・基板界面に生じるn型不純物のピークを解消する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板上にバッファ層を介してn型活性層を形成した化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、上記基板とバッファ層との界面にn型不純物を電気的に補償するp型不純物が2次元的に添加されていることを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウェハ。

IPC (4件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 21/205