特許

J-GLOBAL ID：200903030022407645

薄膜の形成方法及び誘導結合型プラズマCVD装置

発明者： 東 正信 ,  山本 泰幸
出願人/特許権者： 株式会社トクヤマ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210316
公開番号（公開出願番号）：特開2001-003174
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年01月09日
要約：

【要約】【課題】 厚みムラが無く均一で、欠陥の少ない高品質のシリコン薄膜を短時間で生産性良く形成することが可能な誘導結合型プラズマCVD方法およびそのための誘導結合型プラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 真空状態に維持できる反応チャンバーと、前記反応チャンバー内に反応ガスを供給する反応ガス供給部と、前記反応チャンバー内に配置され、高周波電力を印加して反応ガス誘導結合型プラズマを発生させる高周波印加コイルと、前記反応チャンバー内において、高周波印加コイルの近傍に配置1又は2以上され、薄膜がその表面に形成される基材を設置する基材設置部とを備える誘導結合型プラズマCVD装置であって、前記反応チャンバー内に複数の高周波印加コイルが例えば並列的に、或いは同心円状に配置されているか、又は渦巻き状の高周波印加コイルが設置されている誘導結合型プラズマCVD装置を用いて製膜を行う。

請求項（抜粋）：

真空状態に維持できる反応チャンバーと、前記反応チャンバー内に反応ガスを供給する反応ガス供給部と、前記反応チャンバー内に配置され、高周波電力を印加して反応ガス誘導結合型プラズマを発生させる高周波印加コイルと、前記反応チャンバー内において、高周波印加コイルの近傍に1又は2以上配置され、薄膜がその表面に形成される基材を設置する基材設置部とを備える誘導結合型プラズマCVD装置であって、前記反応チャンバー内に高周波印加コイルが複数配置されていることを特徴とする誘導結合型プラズマCVD装置。

IPC (4件)：

C23C 16/50 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

C23C 16/50 B ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C

Fターム (45件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BA37 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA06 ,  4K030FA04 ,  4K030GA14 ,  4K030KA30 ,  4K030KA45 ,  5F045AA08 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AB04 ,  5F045AB06 ,  5F045AB07 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD06 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045DP22 ,  5F045DQ15 ,  5F045EH04 ,  5F045EH08 ,  5F045EH11 ,  5F045EK10 ,  5F045EM02 ,  5F045EM10 ,  5F045HA24