アンチヒューズとしてのダイオードを備える一度にプログラム可能なクロスポイントメモリ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井ノ口壽
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-515846
公開番号（公開出願番号）：特表2008-546213
出願日： 2006年06月06日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：

不揮発性メモリセルが記載され、このメモリセルは、半導体ダイオード(30)を含む。ダイオードを構成する半導体材料は、底部導体(6)と頂部導体(22)との間でかなりの欠陥密度と共に形成され、典型的な読み出し電圧において非常に低い電流の流れを可能にする。プログラミング電圧の印加により、半導体材料の性質が永続的に変更され、改善されたダイオードという結果になる。プログラムされたダイオードは、ずっと高い電流の流れを可能にし、実施形態によっては、同じ読み出し電圧において、2〜3桁大きい。電流の違いにより、プログラムされたメモリセルを、プログラムされていないメモリセルと区別することが可能になる。有利なプログラムされていない欠陥密度を生成する製作技法が記載される。本発明のメモリセルは、単一の基板上に形成された複数の積層されたメモリレベルを有するモノリシックな三次元メモリアレイに形成することができる。

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリセルであって、第1の導体と、非晶質または多結晶半導体材料を含むダイオードと、第2の導体と、を含み、半導体ダイオードは、第1の導体と第2の導体との間に配置され、プログラミング電圧の印加前に、ダイオードは、第1の最大障壁高さを有し、プログラミング電圧の印加後に、ダイオードは第2の最大障壁高さを有し、第2の最大障壁高さは第1の最大障壁高さの少なくとも1.5倍である不揮発性メモリセル。

IPC (1件)：

H01L 27/10

FI (1件)：

H01L27/10 431

Fターム (6件)：

5F083CR11 , 5F083GA10 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (12件)

米国特許出願第10/955,549号
米国特許出願第11/061,952号
米国特許出願第10/955,387号

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