半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-160835
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031831
出願日： 1994年07月13日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】製造コストが低い半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【構成】複数の半導体素子が形成されている基体1の上に電気配線層5が設けられており、その電気配線層5の選択的な領域の表面にチタンとタングステンとの合金層8と白金層9とからなる積層構造のBLM層が設けられており、フェイスダウンボンディングを行うためのはんだバンプが接続されるBLM層の材料としては半導体集積回路装置における電気配線層などの構成要素に使用されている材料の一部と同一の材料が使用されていると共に、処理工程における半導体集積回路装置を製造する装置および設備を使用してBLM層が形成されている。そのため、BLM層を設けるための独立した装置および設備それに特有の材料は不要となり、簡単な製造工程により製造コストを低減できる。

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子が設けられている半導体基板と、前記半導体素子と電気接続されている電気配線層と、前記電気配線層を被覆している絶縁膜と、前記電気配線層の一部に設けられているBLM層とを有する半導体集積回路装置であって、前記BLM層の材料としては、前記半導体集積回路装置における前記電気配線層の構成要素に使用されている材料の一部と同一の材料が使用されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 , H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01L 21/92 C , H01L 21/92 D , H01L 21/92 F

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平1-202841
特開昭60-224248
特開平4-133330

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審査官引用 (5件)

特開平1-202841
特開昭60-224248
特開平4-133330

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