特許
J-GLOBAL ID：200903030038281803
気相成長装置及び気相成長法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-015495
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217903
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】半導体結晶の高均一・高精度の結晶成長を行うため、原料ガスの流れに渦流が発生することを防止し、ガス組成の急峻な切り換えが可能な半導体装置の製造装置の提供する。【構成】基板4を載置するサセプタ5に対し垂直に原料ガスを供給するガス供給管2と、反応管1からなりサセプタ5に対し横方向に原料ガスの排気を行う排気管3と、基板4を加熱する加熱装置とからなる気相成長装置にキャリアガスを流すことによって原料ガスの排気を速やかに行い、原料ガスの流れに渦流が発生するのを防止し、原料ガスの急峻な切り換えを可能とする、ガス供給管2から遠ざかるにつれて順次管の長さを短くした補助管7をガス供給管2に隣接して形成する。
請求項（抜粋）：
結晶成長を行う反応管(1)と、前記反応管(1)の内部に配置されて基板(4)を載置するサセプタ(5)と、前記基板(4)に対向して設けられ、前記反応管(1)の内部に前記基板(4)に対し垂直に原料ガスを供給するガス供給管(2)と、前記基板(4)側方に設けられ、前記反応管(1)内に供給した原料ガスをその供給方向に対し直角な方向に排気する排気管(3)と、前記基板(4)を加熱する加熱装置(6)と、前記ガス供給管(2)に隣接し、前記ガス供給管(2)の位置から遠ざかるに従って順次管長が短くなり、最も外側においては前記反応管(1)の内面と同一かまたはさらに短く構成されている補助管(7)とを有することを特徴とする気相成長装置。
IPC (2件)：
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