特許
J-GLOBAL ID:200903030045022902

真空蒸着方法および真空蒸着装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-253257
公開番号(公開出願番号):特開平8-120442
出願日: 1994年10月19日
公開日(公表日): 1996年05月14日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、基板を加熱することなく短時間で高真空を得ることによって、汚染のない純粋な蒸着膜の形成を図る。【構成】 第1工程S1で、基板の被蒸着面を真空雰囲気からほぼ隔離し、第2工程S2で、真空雰囲気中のほぼ全体に蒸着物質を飛ばすとともに真空引きする。または真空雰囲気を形成する真空室の内壁面を加熱しながら真空引きを行う。そして真空雰囲気を高真空状態にする。その後第3工程S3で、被蒸着面を蒸着物質が飛んでいる真空雰囲気にさらした後、第4工程S4で、被蒸着面に蒸着物質を堆積する。
請求項(抜粋):
真空雰囲気中のほぼ全体に蒸着物質を飛ばして基板に該蒸着物質を堆積する真空蒸着方法において、基板の被蒸着面を前記真空雰囲気からほぼ隔離する第1工程と、前記真空雰囲気中に蒸着物質を飛ばすとともに真空引きする第2工程と、前記蒸着物質が飛んでいる真空雰囲気に前記被蒸着面をさらす第3工程と、前記被蒸着面に蒸着物質を堆積する第4工程とからなることを特徴とする真空蒸着方法。
IPC (2件):
C23C 14/24 ,  C23C 14/54

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