特許

J-GLOBAL ID：200903030050333401

半導体装置およびその製造方法

発明者： 堤 聡明 ,  前川 和義
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-077246
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283168
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】 接合破壊が防止されたサリサイド構造の半導体装置を、容易に製造する。【構成】 半導体装置の製造におけるサリサイド工程において、Co膜8形成後、第1の熱処理により、露出したシリコン部分上にCoリッチな金属シリサイド膜9を形成し、次いで未反応のCo膜9を除去した後、SiH4雰囲気13で第2の熱処理を施してSiリッチな金属シリサイド層14を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に選択的に形成された絶縁膜から露出したシリコン部分上に自己整合的に金属シリサイド層を形成して成る半導体装置の製造方法において、上記露出したシリコン部分を含む半導体基板上の全面に金属膜を堆積する工程と、次いで第1の熱処理を行い、上記露出したシリコン部分上に上記金属膜を反応させた金属リッチな金属シリサイド膜を形成する工程と、次いで未反応の上記金属膜を除去する工程と、次いでシラン系ガス雰囲気において第2の熱処理を行い、上記金属リッチな金属シリサイド膜をシリコンリッチな金属シリサイド層に変成させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/90 D ,  H01L 29/78 301 P