メモリモジユールのデータ書込方式

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹内進 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-027061
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102944
出願日： 1991年02月21日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】電磁誘導結合を用いてリーダライタからメモリモジュールに対しデータ書込みを行うメモリモジュールのデータ書込方式に関し、メモリモジュール側の電源電圧の状態を監視しながら確実に書込みができるようにする。【構成】リーダライタから所定のコマンドを受信した際にメモリモジュールから予め定めた擬似ランダム信号を返送し、リーダライタではメモリモジュールの擬似ランダム信号と同じ信号と受信信号との自己相関を求め、相関値が予め定めた閾値以上となった時に書込みを実行する。

請求項（抜粋）：

電磁誘導結合によりリーダライタからメモリモジュールに対しデータ書込みを行うメモリモジュールのデータ書込方式に於いて、前記メモリモジュールに、リーダライタから所定のコマンドを受信した際に予め定めた擬似ランダム信号を返送する手段を設け、前記リーダライタには、前記メモリモジュールの擬似ランダム信号と同一の信号と受信信号との自己相関値を求める相関手段と、該相関手段で求めた相関値が予め定めた閾値以上となった時に書込みを実行する書込制御手段とを設けたことを特徴とするメモリモジュールのデータ書込方式。

IPC (5件)：

H04J 13/00 , G06F 3/06 301 , G11C 16/06 , H04B 5/00 , H04L 27/10

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-220535
特開昭59-094952
特開平2-039644

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