特許
J-GLOBAL ID：200903030052806439
コンプライアント基板を有する半導体構造物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-547210
公開番号（公開出願番号）：特表2004-515074
出願日： 2001年10月18日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
単結晶層を形成するためのコンプライアント基板を形成することによって、単結晶材料の高品質エピタキシャル層が、大口径シリコンウェハなどの単結晶基板の上部に形成される。コンプライアント基板を形成する一方法においては、先ずシリコンウェハ(22)に順応バッファ層(24)が形成される。この順応バッファ層は、酸化シリコンの非晶質界面層(28)によってシリコンウェハから離間された単結晶酸化物層からなる。非晶質界面層はたわみを消散させて、高品質単結晶酸化物の順応バッファ層が成長できるようにする。順応バッファ層の格子は、下地シリコンウェハの格子と上部の単結晶材料層(26)の格子との双方に整合している。順応バッファ層の格子と下地シリコン基板の格子との不整合は、非晶質界面層によって解消される。さらに、また、コンプライアント基板の形成の際に、サーファクタントを利用したエピタキシーの使用、単結晶酸化物への単結晶シリコンのエピタキシャル成長、及びジントル相物質のエピタキシャル成長が行なわれることがある。
請求項（抜粋）：
単結晶基板と、
前記基板上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成されたテンプレートと、
前記テンプレートを覆って形成された単結晶材料層とからなる半導体構造物。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (20件)：
5F045AB10
, 5F045AB14
, 5F045AF02
, 5F045AF03
, 5F045BB12
, 5F045DA53
, 5F052DA04
, 5F052DA05
, 5F052DA06
, 5F052DB01
, 5F052DB06
, 5F052DB10
, 5F052GC03
, 5F052GC04
, 5F052HA01
, 5F052JA01
, 5F052JA04
, 5F052JA07
, 5F052KA01
, 5F052KA02
