特許
J-GLOBAL ID：200903030057721024
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-354189
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201832
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】低コストで正確なエッチング終了判定を行なえる半導体製造装置を提供すること。【構成】成膜時に成膜室1の内壁に被着した膜をプラズマによりエッチングするクリーニング用電極3,高周波電源2等からなるプラズマクリーニング手段と、自己バイアス電圧を検出する検出装置6と、この検出装置6の出力に基づき、自己バイアス電圧が一定になったら、プラズマクリーニング手段によるエッチングを停止するエッチング停止装置7とを備えている。
請求項（抜粋）：
被処理基体を収容し、この被処理基体上に膜を形成する成膜室と、前記被処理基体を前記成膜室から取り出した後に、前記成膜室内にプラズマを生成し、前記成膜室内に形成された膜を前記プラズマによりエッチングするプラズマクリーニング手段と、前記プラズマの状態の変化に対応して変化するプラズマパラメータを検出する検出手段と、この検出手段の出力に基づき、前記プラズマパラメータの値が所定の値になったら、前記プラズマクリーニング手段によるエッチングを停止するエッチング停止手段とを具備してなることを特徴とする半導体製造装置。
FI (2件)：
H01L 21/302 E
, H01L 21/302 N
