特許

J-GLOBAL ID：200903030058725597

絶縁材料及びその製造方法、フッ素化フラーレン含有膜の製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法

発明者： 阿多 誠文 ,  加藤 俊夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-292208
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126774
出願日： 1997年10月24日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：

【要約】【課題】 比誘電率の小さな絶縁材料及びその製造方法、並びにフッ素化フラーレン含有膜の製造方法を提供すること、及び処理速度の高速化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 Cn (但し、nは幾何学的に球状化合物を形成し得る整数である。)で表されるフラーレン分子又はその重合体に、フッ素原子が結合してなるフッ素化フラーレンからなる絶縁材料及びその製造方法、並びにフッ素化フラーレン含有膜の製造方法。フラーレン分子又はその重合体に、フッ素原子が結合してなるフッ素化フラーレンからなる絶縁材料、又はこのフッ素化フラーレンを表面領域に有するフラーレン膜が用いられている半導体装置及びその製造方法。

請求項（抜粋）：

Cn (但し、nは幾何学的に球状化合物を形成し得る整数である。)で表されるフラーレン分子又はその重合体に、フッ素原子が結合してなるフッ素化フラーレンからなる絶縁材料。

IPC (3件)：

H01L 21/314 ,  C01B 31/02 101 ,  H01B 3/00

FI (3件)：

H01L 21/314 A ,  C01B 31/02 101 Z ,  H01B 3/00 Z