特許

J-GLOBAL ID：200903030067704802

高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

発明者： 西 恒寛 ,  長谷川 幸士 ,  中島 睦雄
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 奥山 尚一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-008244
公開番号（公開出願番号）：特開2002-303985
出願日： 2002年01月17日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】 反応性、剛直性及び基板密着性に優れ、かつ現像時の膨潤の小さい高分子化合物、該高分子化合物をベース樹脂とし、従来品を大きく上回る解像性及びエッチング耐性を有するレジスト材料、及び該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 下記一般式(1-1)又は(1-2)で示される繰り返し単位を含有する重量平均分子量1,000〜500,000の新規高分子化合物と、該高分子化合物をベース樹脂として用いたレジスト材料と、該レジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。【化1】

請求項（抜粋）：

下記一般式(1-1)又は(1-2)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、メチル基又はCH2CO2R3を示す。R2は水素原子、メチル基又はCO2R3を示す。R3は、R1とR2で共通しても異なってもよい炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Wは炭素数2〜10の直鎖状又は分岐状の2価の炭化水素基を示し、その構造中に1個以上のエステル結合を有してもよく、更にヘテロ原子を含む別の原子団で置換されていてもよい。kは0又は1である。)

IPC (7件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  C08F222/40 ,  C08F232/00 ,  C08G 61/08 ,  H01L 21/027

FI (7件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  C08F222/40 ,  C08F232/00 ,  C08G 61/08 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (43件)：

2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AA13 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025FA17 ,  4J032CA33 ,  4J032CA34 ,  4J032CA36 ,  4J032CB05 ,  4J100AK32R ,  4J100AL08S ,  4J100AM43R ,  4J100AR09P ,  4J100AR11P ,  4J100AR11Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BC03S ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04S ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09S ,  4J100BC53P ,  4J100BC53S ,  4J100JA37 ,  4J100JA38