特許

J-GLOBAL ID：200903030070400792

半導体装置

発明者： 大岡 幹治
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216614
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074185
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】 高周波特性に優れ、しかもチップ面積が縮小された半導体装置を提供することである。【構成】 外部信号により、1つの入/出力信号と2つの出/入力信号とをスイッチングする半導体装置において、前記入/出力信号が入/出力される第1の共通電極と、前記第1の共通電極に隣接し、前記2つの出/入力信号がそれぞれ出/入力される第1及び第2の出/入力電極と、前記第1及び第2の出/入力電極にそれぞれ隣接した第2の共通電極と、前記第1の共通電極と前記第1及び第2の出/入力電極との間に設けられた第1の制御電極と、前記第2の共通電極と前記第1及び第2の出/入力電極との間に設けられた第2の制御電極とを半導体上に含む。

請求項（抜粋）：

外部信号により、1つの入/出力信号と2つの出/入力信号とをスイッチングする半導体装置において、前記入/出力信号が入/出力される第1の共通電極と、前記第1の共通電極に隣接し、前記2つの出/入力信号がそれぞれ出/入力される第1及び第2の出/入力電極と、前記第1及び第2の出/入力電極にそれぞれ隣接した第2の共通電極と、前記第1の共通電極と前記第1及び第2の出/入力電極との間に設けられた第1の制御電極と、前記第2の共通電極と前記第1及び第2の出/入力電極との間に設けられた第2の制御電極とを半導体上に含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 27/095 ,  H03K 17/693

FI (2件)：

H01L 29/80 L ,  H01L 29/80 E