CMP研磨剤及び基板の研磨方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-286134
公開番号（公開出願番号）：特開2000-109794
出願日： 1998年10月08日
公開日（公表日）： 2000年04月18日
要約：

【要約】【課題】廃液処理が容易で、酸化珪素膜等の被研磨面を、傷なく、高速に研磨することが可能で、酸化珪素膜研磨速度と窒化珪素膜研磨速度の比を10以上にするCMP研磨剤及びこれらCMP研磨剤を使用した基板の研磨方法を提供する。【解決手段】酸化セリウム粒子、分散剤、JIS K 6950によって測定される28日後の生分解度が1〜20%の添加剤、及び水からなるCMP研磨剤。研磨する膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあて加圧し、CMP研磨剤を研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基板と研磨定盤を相対的に動かして研磨する膜を研磨する基板の研磨方法。

請求項（抜粋）：

酸化セリウム粒子、分散剤、JISK6950によって測定される28日後の生分解度が1〜20%の添加剤及び水を含有するCMP研磨剤。

IPC (5件)：

C09K 3/14 550 , C09K 3/14 , B24B 37/00 , H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622

FI (6件)：

C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 K , C09K 3/14 550 M , B24B 37/00 H , H01L 21/304 621 D , H01L 21/304 622 D

Fターム (7件)：

3C058AA07 , 3C058CB02 , 3C058CB03 , 3C058CB10 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17

前のページに戻る